Радиовещатель-ный приемник двухполосных АМ сигналов СВ диапазона

Рассчитаем коэффициент связи входной цепи с антенной, обеспечивающий требуемое затухание контура. – эквивалентное затухание на нижней частоте диапазона.Примем Рассчитаем коэффициент передачи входной цепи для подключения к последующему каскаду:Рассчитываемзначение коэффициента шума входной цепи:Расчет входной цепиРис3. Входная цепь с использованием трансформаторной связи с антеннойНаходим параметры контура входной цепи. Элементом настройки в нашем случае служит переменный конденсатор (КПТМ). Минимальная эквивалентная емкость контура равна:- минимальноезначение емкости переменного конденсатора, –величина емкости катушки индуктивности;–величина емкости монтажа;– средняя величина емкости подстроечного конденсатора;Для первого каскада усиления приемника, примем значение входной емкости - входная емкость транзистора (входная емкость АЭ УРЧ, далее входит в состав ИМС).Максимальная эквивалентная емкость равна:Эквивалентная индуктивность равна:Рассчитаем величину собственной частоты антенной цепиРассчитаем величину индуктивности катушки связи:- коэффициенты, характеризующие возможные отклонения емкости, индуктивности от средних значений.Находим величину активного сопротивления катушки связиНаходим значение активного сопротивления антенной цепиРассчитаем значение добротности антенной цепиРассчитаем величину коэффициента связи входного контура с антенной цепью.Определяем критическое значение коэффициента связиВ дальнейшем расчете принимаем наименьший коэффициентОпределим величину взаимоиндукции между индуктивностями связи иконтура:Рассчитаем значение резонансного коэффициента передачи входнойцепи для минимальной, средней и максимальной частот рабочего диапазона:Рассчитываем величину неравномерности коэффициента передачи входной цепи:Рассчитаем полосы пропускания входной цепи для минимальной, средней и максимальной частот рабочего диапазона:Рассчитаем ослабление побочных каналов приема.Ослабление по зеркальному каналу:По техническому заданию требуемое значение , недостающие будут подавлены резонансной системой УРЧ.Ослабление по каналу промежуточной частоты:По техническому заданию требуемое значение , недостающие будут подавлены резонансной системой УРЧ.Остальные функциональные узлы радиоприемного устройства (резонансный УРЧ, тракт ПЧ, гетеродин, детектор, система АРУ) включены в состав микросхемыК174ХА36Апоэтому их расчет непроизводим. Выбор микросхем для функциональных узлов устройстваУсловие для выбора микросхемы АРУ:Напряжение на контуре входной цепи Выбираем интегральную микросхему К174ХА36А, она выполняет функцию усилителя ПЧ, включающая также детектор АМ сигнала и АРУ.Основные параметры ИМСК174ХА36А1.Номинальное напряжение питания 9 В±10% 2. Потребляемый ток, не более 20мА 3. Выходное напряжение детектора, не менее100мВ 4. Частота входного сигнала РЧ, не более50МГц 5. Наибольшее входное напряжение РЧ 250мВ6. Коэффициент гармоник, не более37. Диапазон рабочих температур 25…+70С 8. Чувствительность 5мкВРис.4. Структурная схема ИМС К174ХА36АНазначение выводом микросхемыК174ХА36А: 1-вход сигнала гетеродина, 2-общий вывод, 3 и 4-входыУРЧ, 5-подключение индикатора настройки, 6 и 7- входу предварительного УЗЧ, 8-выход предварительного УЗЧ, 9-общий вывод предварительного УЗЧ, 10-вход напряжения питания, 11-выход детектора, 12- вход регулятора усиления (АРУ), 13- вход детекторного LC контура, 14-вход УПЧ, 15-подключение блокировочного конденсатора УПЧ, 16-выход смесителя. Рис.5. Типовая схема включения ИМС К174ХА36А для диапазона СВ Расчет УНЧДля получения выходной мощности Pвых > 3Вт подключим к выходу микросхемы усилитель мощности TDA7245A, рис.6. Рис.6. TDA7245A, расположение выводовУсилитель на базе TDA7245A обладает следующими техническими характеристиками:Номинальное напряжение питания 16.5ВДиапазон рабочих частот 20 – 40000 ГцНапряжение питания 12…30ВТок покоя 17…25 мА в зависимости от напряжения питанияВыходная мощность при КНИ=10% 12ВтВыходная мощность при КНИ 1% 4…5Вт в зависимости от напряжения питанияКНИ = 0.1% при выходной мощности до 2ВтВходное сопротивление 30 кОмОтношение сигнал/шум 86дБТемпература кристалла микросхемы при которой происходит срабатывание тепловой защиты 150ºСКоэффициент усиления без ООС 75дБКоэффициент усиления с ООС 40дБЗатухание сигнала в режиме STAND-BY 90дБТок покоя в режиме STAND-BY 2…4 мАРис.7.Усилитель мощностиTDA7245A, типовая схема включения ЗаключениеВ ходе курсовой работы нами был спроектирован радиовещательный приемник двухполосных АМ сигналов,имеющий следующие параметры:- диапазон принимаемых частот;- селективность по зеркальному каналу не менее45дБ;- селективность по каналу промежуточной частоты не менее 33дБ;- селективность по соседнему каналу не менее 44дБ;- чувствительность приемника 5мкВ.Приемник построен по супергетеродинной схеме с однократным преобразованием частоты.Библиографический список1. Шкляр Я.В. Радиоприёмные устройства связи и вещания: учебно-методическое пособие. – Владивосток: Изд-во ДВГТУ, 2008.2.Белкин М.К. Справочник по учебному проектированию приемно-усилительных устройств. – Киев, Высшая школа, 1982. 3.Буга Н.Н. Радиоприёмные устройства: Учебник для вузов.– М.: Радио и связь, 1986.4. Тарабрин Б.В. Справочник по интегральным микросхемам. - М.: Энергия, 1980. 5. http://ios.cde.spbstu.ruПриложение 1. Схема структурно/функциональнаяПриложение 2. Схема электрическая принципиальнаяПриложение 3. Перечень элементовЗонаПоз. обозначениеНаименованиеКолПримечаниеКонденсаторыC1БМП – 30 пФ 5%1C2КПЕ-5М 12-495 пФ1C3,C5,C7,C12,C14БМП – 0.1 мкФ 5%5C4К30-35-100 мкФ 10%1C6БМП – 22 пФ 5%1C8,С22К30-35-8.1 мкФ 10%2C9КПЕ-5М 6-25 пФ1C10КПЕ-5М 5-285 пФ1C11БМП – 500 пФ 5%1C13БМП – 1000 пФ 5%1C15К30-35-33 мкФ 10%1C16,С18БМП –2200 пФ 5%2C17К30-35-100нФ 10%1C19К30-35-47 мкФ 10%1C20К30-35-22 мкФ 10%1C21К30-35-2.2 мкФ 10%1C23К30-35-1888 мкФ 10%1C24К30-35-478 мкФ 10%1Пьезокерамический фильтрФП1П1-О611ИндуктивностиL1КИГ 4 мГн1L2КИГ 180 мкГн1L3КИГ 0.1-35 мкГн1L4КИГ 0.1-150 мкГн1L5КИГ 0.1-130 мкГн1L6КИГ 0.1-30 мкГн1L7КИГ 0.1-500 мкГн1РезисторыR1С2-23H-0.5-22 Ом 5%1R2С2-23H-0.5-150 Ом 5%1R3СП5-3-0.5-10 кОм 2%1R4С2-23H-0.5-22 кОм 5%1R5С2-23H-0.5-3кОм 5%1R6С2-23H-0.5-100кОм 5%1R7С2-23H-0.5-15кОм 5%1R8С2-23H-0.5-47кОм 5%1R9С2-23H-0.5-15кОм 5%1R10С2-23H-0.5-2.2Ом 5%1R11С2-23H-0.5-27 кОм 5%1R12С2-23H-0.5-278Ом 5%1ДиодыVD1КИПДО2Б-1К1МикросхемыDA1К174ХА36А1DA2TDA7245A1ДинамикLS11ПереключателиS1,S2,S33