История электроники

Через полгода, до признания работ Браттейна и Бардина, немецкие физики Генрих Велькер и Герберт Матаре продемонстрировалиточечный транзистор («транзистрон»), который был разработан во Франции. Так из безуспешных попыток создать сначала твердотельный аналог вакуумного триода, а потом полевой транзистор, появился первый несовершенный точечный биполярный транзистор.8 декабря 1947 года, обсудив с Браттейном и Бардином структуру перспективного «триода», Шоклирешил вернуться к теоретической проработке усилителя на p-n-переходах. В последнюю неделю 1947 года он мысленно перебрал множество конфигураций, но все они, включая схему биполярного транзистора, не выдержали критики. В январе 1948 года Шоклипонял, что модель, которая была им использована, не учитывала инжекции неосновных носителей заряда в базу. В результате учёта механизма инжекции модель стала полностью работоспособной. 23 января 1948 года Шоклисделал патентную заявку на биполярный транзистор (патент США 2 569 347) и создал законченную теорию на основе своих идей. В этой работе Шоклиотмёл попытки создать полевой транзистор и сделал описание ещё не существующего прибора с двумя параллельными p-n-переходами - плоскостного биполярного транзистора. В ней впервые появились привычные сейчас, но не очевидные в 1948 году утверждения, как необходимость обратного смещения коллекторного перехода и прямого смещения эмиттерного p-n-перехода.В 1963 году Фрэнк Вонлас (FrankWanlass) из FairchildSemiconductor изобрёл схемы КМОП. Первые микросхемы КМОП были произведены в 1968 году. На протяжении долгого времени КМОП рассматривалась как энергосберегающая, но достаточно медленная альтернатива ТТЛ и поэтому микросхемы КМОП использовались в калькуляторах, электронных часах и других устройствах с батарейным питанием, где было критичным энергопотребление.В 1990 году в связи с повышением степени интеграции микросхем появилась проблема рассеивания энергии на элементах. В связи с этим технология КМОП оказалась в выигрыше. Через некоторое время была достигнута плотность монтажа и скорость переключения, которые были недостижимы в технологиях, основанных на биполярных транзисторах.3. Четвертое поколение развития электроникиЧетвертое поколение (с 1980 года по настоящее время) характеризуется дальнейшей микроминиатюризацией электронных устройств, с применением больших и сверхбольших интегральных схем. Электронные устройства по способу формирования и передачи сигналов управления бывают двух классов: дискретные и аналоговые.Назначениедискретных электронных устройств: прием, преобразование и передача электрических сигналов, которые представлены в дискретной форме. Эти устройства имеютнебольшую потребляемую мощность, стоимость и высокую помехоустойчивость. Дискретные электронные устройства бываютцифровыми и импульсными.В цифровых электронных устройствах осуществляется кодирование сигнала или преобразование его в определенную последовательность однотипных импульсов. Цифровые электронные устройства сейчас получили широкое распространение из-завысокой помехоустойчивости,высокой надежности, энергетической совместимости и интегральной технологичности элементной базы ивозможности длительного хранения информации без ее потери.В ряде электронных устройств имеет место цифровая и аналоговая информация. Эти устройства относятся к комбинированным электронным устройствам. 40 лет назад микроэлектроника была в зачаточном состоянии. Чипы производилось тогда совсем мало, в наиболее сложной микросхеме компании Fairchild было всего 64 транзистора, не приходилось и говорить тогда о каких-либо достоверных статистических данных в этой области. Удивительно, как в таких обстоятельствах Гордон Мурсмог предсказать фантастические темпы развития всей отрасли на несколько десятилетий вперед и предугадать, что количество транзисторов на чипе будет удваиваться каждый год.Он предсказал, что при экспоненциальномросте числа транзисторов на микросхеме процессоры будут становиться все более быстродействующими и дешевыми, а их производство- все более массовым.По своей сути закон Мура- это не закон природы, а, больше, эмпирическое правило. ЗаключениеВо второй половинедвадцатого столетия развитие полупроводниковой электроники, и прежде всего микроэлектроники, оказало качественное изменение практически всей мировой экономики на основе новых информационных технологий. И если взглянуть сегодня на страны так называемого «золотого миллиарда», то их экономическое благосостояние основано, прежде всегона экономике, построенной на высоких технологиях и на наукоемких технологиях.Первое место среди них занимают полупроводниковая электроника и информационные технологии. Список литературы1) Гленн Дж. Сартори, Джеймс А. Рег, Промышленная электроника, 2017 г.2) Орлов И.Я., Односевцев В.А., Ивлев Д.Н., Лупов С.Ю. Основы радиоэлектроники - Н.Новгород: Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 2011.3) Сколник М. И. Справочник по радиолокации. 2014 г.4) Романюк, В. А. Основы радиосвязи : учебник для вузов / В. А. Романюк. — М. : Издательство Юрайт, 2018. — 288 с.5) Харитонов В.Б. Цифровые способы записи звука. Учебное пособие. 2006 г.6) Джакония В.Е. и др. Телевидение. Учебник для вузов. - М.: Горячая линия - Телеком, 2002. - 640 с.7) Никольский, Б. А. Основы радиотехнических систем: учеб. / Б. А. Никольский. – Самара: Изд-во Самар. гос. аэрокосм. ун-та, 2013. – 315 с.: ил.8) Нефедов В.И. Метрология и радиоизмерения. 2006 г.9) Монаков А.А. Теоретические основы радионавигации: Учебное пособие. - СПб.: ГУАП, 2002. - 70 с.10) Мазор Ю.Л. Радиотехника. Энциклопедия. 2010 г.